(Taiwan, ROC) -- TSMC mengelar Simposium Teknologi Amerika Utara pada tanggal 26 April waktu Amerika Serikat dan mengumumkan bahwa tingkat keberhasilan dan kinerja komponen dalam proses pengembangan process node 2nm berjalan dengan baik. Process node 2nm rencananya akan diproduksi secara massal pada tahun 2025 sesuai jadwal. TSMC juga akan meluncurkan teknologi process node 3nm terbaru, di antaranya process node 3nm (N3P) versi terbaru yang direncanakan akan diproduksi secara massal pada paruh kedua 2024.
Simposium Teknologi Amerika Utara TSMC diadakan di Santa Clara, California, AS dengan total lebih dari 1.600 pelanggan dan mitra yang mendaftar yang untuk berpartisipasi. Simposium ini merupakan pembuka untuk serangkaian simposium teknologi global yang akan berlangsung dalam beberapa bulan mendatang. Di lokasi simposium juga terdapat area inovasi yang menampilkan teknologi inovatif dari 18 pelanggan baru.
Dalam simposium tersebut, TSMC mengungkapkan perkembangan teknologi terbaru, termasuk perkembangan teknologi process node 2nm, teknologi process node 3nm terbaru, pengemasan canggih 3DFabric, dan teknologi integrasi sistem Silikon, dll. TSMC mengungkapkan, pengembangan teknologi process node 2nm berjalan dengan baik. Teknologi 2nm mengadopsi struktur transistor nanosheet yang telah menunjukkan kemajuan yang baik dalam tingkat keberhasilan dan kinerja perangkat, dan akan diproduksi secara massal pada 2025 sesuai jadwal.
Dibandingkan dengan teknologi process node 3nm (N3E) versi terbaru, process node 2nm dapat meningkatkan kecepatan hingga 15% dengan konsumsi daya yang sama, sedangkan pada kecepatan yang sama, konsumsi daya dapat berkurang hingga 30%, dan kepadatan chip meningkat lebih dari 15%. TSMC mengatakan, process node 3nm (N3P) versi terbaru yang lebih hemat daya, efektif, dan ringkas diharapkan dapat diproduksi secara massal pada paruh kedua 2024. Dibandingkan dengan process node N3E, kecepatannya meningkat sebesar 5% di bawah kekuatan daya konsumsi yang sama. Pada kecepatan yang sama, konsumsi daya berkurang 5% hingga 10% dan kepadatan chip meningkat sebesar 4%.